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FQD2N60CTF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 歐姆 @ 950mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD2N60CTF_F080詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 歐姆 @ 950mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD2N60CTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 歐姆 @ 950mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD2N60CTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 歐姆 @ 950mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD2N60CTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 歐姆 @ 950mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD2N60TF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

G13C
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CHROME BRASS
ERJ-S03F4750V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES ANTI-SULFUR 475 OHM 1% 0603
FQD2N60CTM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
FDMQ8203
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 12-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP
FH16M-96S-0.4SHW(05)
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FFC/FPC 96POS .4MM SMD GOLD
ESD7104MUTAG
TVS - 二極管 ON Semiconductor 10-UFDFN IC TVS 4LINE ESD PROTECT 10UDFN
ERA-6YEB241V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 240 OHM 1/8W .1% 0805 SMD
FT533DA
PMIC - 穩壓器 - 線性 Fremont Micro Devices USA SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 1.8V .4A SOT23-5
G13C
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CHROME BRASS
FDMS0312S
FET - 單 Fairchild Semiconductor * MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
ESD7484NCTAG
TVS - 二極管 ON Semiconductor 10-UFBGA，WLCSP DIODE ESD PROTECT 4CH 10-WLCSP
FH19-13S-0.5SH(51)
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 13POS .5MM SMD TIN
FT533DA
PMIC - 穩壓器 - 線性 Fremont Micro Devices USA SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 1.8V .4A SOT23-5
ERA-6YEB242V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 2.4K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
G13C
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CHROME BRASS