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FQD19N10LTF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD19N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD19N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD19N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD19N10TF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD19N10TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD17P06TF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
CMF501K9600FKRE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1.96K OHM 1/4W 1% AXIAL
GRM0335C1E910JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 91PF 25V 5% NP0 0201
GLZ52W
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
FRM3WSJR-73-220R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 220 OHM 3W 5%
FA1-NDSJ-C09-0
同軸，RF Amphenol-RF Division 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN JACK FAKRA .057 OD CABLE
FQD17P06TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
CMF501M0000GKR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1M OHM 1/4W 2% AXIAL
GRM0335C1E9R0DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 9PF 25V NP0 0201
FRM-50GR-52-270R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 270 OHM 1/2W 2%
GLZ52W
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
GRM0335C1E9R0DD01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 9PF 25V NP0 0201
CMF501M4700FLEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1.47M OHM 1/4W 1% AXIAL
FA1-NESJ-C01-6
同軸，RF Amphenol-RF Division 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN JACK FAKRA RG-174/316
FQD1N50TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

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