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FQA6N90C_F109 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FQA6N90C_F109詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.3 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1770pF @ 25V; 功率_最大：198W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3PN; 包裝：管件

查看更多FQA6N90C_F109的供應(yīng)商

CGJ5L2X7R2A104K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
FK1840003
振蕩器 Pericom 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC 18.432MHZ 3.3V SMD
ESR10EZPF1200
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 120 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CGA3E2X7R1C224K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603
FQA6N80
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
CGA6M2C0G2A333J
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.033UF 100V 5% NP0 1210
CGJ5L3C0G2D682J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 6800PF 200V 5% NP0 1206
ESR10EZPF1301
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
FK18C0G1H060D
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 6PF 50V RADIAL
CGJ5L3X7R2D333K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 200V X7R 1206
CGA6M2X7R1E475K
陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1210
ESR10EZPF1503
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 150K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
FK18C0G1H150J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 15PF 50V 5% RADIAL
CGA3E2X7R1C224K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603
CGJ5L4C0G2H103J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 500V NP0 1206

復(fù)制成功！

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