FGB40N6S2T 全國供應商、價格、PDF資料
FGB40N6S2T詳細規格
- 類別：IGBT - 單路
- 描述：IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- IGBT類型：-
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：600V
- VgewwwwIc時的最大Vce（開）：2.7V @ 15V，20A
- 電流_集電極333Ic444（最大）：75A
- 功率_最大：290W
- 輸入類型：標準
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263AB
- 包裝：帶卷 (TR)
FGB40N6S2T詳細規格
- 類別：IGBT - 單路
- 描述：IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- IGBT類型：-
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：600V
- VgewwwwIc時的最大Vce（開）：2.7V @ 15V，20A
- 電流_集電極333Ic444（最大）：75A
- 功率_最大：290W
- 輸入類型：標準
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263AB
- 包裝：Digi-Reel®
FGB40N6S2T詳細規格
- 類別：IGBT - 單路
- 描述：IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO263AB
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- IGBT類型：-
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：600V
- VgewwwwIc時的最大Vce（開）：2.7V @ 15V，20A
- 電流_集電極333Ic444（最大）：75A
- 功率_最大：290W
- 輸入類型：標準
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263AB
- 包裝：剪切帶 (CT)
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
- 連接器，互連器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS M-COL
- 按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16M/X
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16G/X
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049L/H1500TR 6"
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
- 按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16M/X
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049G/H1500TR 8"
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20S/AE20G/X
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
755-83229865 
