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FDS6679詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3939pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6679AZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3845pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6679AZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3845pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6679AZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3845pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS6679Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：94nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3803pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

MCR25JZHF80R6
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 80.6 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
M83723/78R1002N
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS
FDS6675A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
MAX4590EWE+T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC SWITCH DUAL SPST 16SOIC
LM4853LD/NOPB
線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 14-WFDFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 1.9W MONO 14LLP
LM4040D30ILPRE3
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 IC VREF SHUNT PREC 3V TO-92-3
MAX3737ETJ+T
PMIC - 激光驅(qū)動器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盤 IC LSR DRVR 2.7GBPS 3.63V 32TQFN
MAX326ESE+T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
MCR25JZHF80R6
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 80.6 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MAX4591EUE
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
LM4853MM/NOPB
線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC AMP AUDIO PWR 1.9W AB 10MSOP
MAX3750CEE+
接口 - 專用 Maxim Integrated 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC PORT BYPASS 2.125GBPS 16-QSOP
LM4040D41IDBZR
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SOT23
MAX327CPE+
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
FDS6680A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

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FDS6679 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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FDS6679供應(yīng)商

MCR25JZHF80R6

M83723/78R1002N

FDS6675A

MAX4590EWE+T

LM4853LD/NOPB

LM4040D30ILPRE3

MAX3737ETJ+T

MAX326ESE+T

MCR25JZHF80R6

MAX4591EUE

LM4853MM/NOPB

MAX3750CEE+

LM4040D41IDBZR

MAX327CPE+

FDS6680A