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FDS6675詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
FDS6675詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
FDS6675詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDS6675A詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2330pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
FDS6675BZ詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Optoelectronics Group
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
FDS6675BZ詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Optoelectronics Group
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 60.4KOHM 1% 0805
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS DIP .125 SLD
- 固定式 SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC 非標準 INDUCTOR 15UH 2A SHIELDED
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 13.7 OHM 1% 1210
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div EVENT INPUT OPTION E5CK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 6.19KOHM 1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 1.4K OHM 1% 1210
- 固定式 SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC 非標準 INDUCTOR 22UH 1.6A SHIELDED
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 634 OHM 1% 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TRANSFER OUTPUT OPTION E5CK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 1.43KOHM 1% 1210
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS .125 EXTEND
0755-82575207 
18026926850/0 
