FDS6299S詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 21A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3880pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
- 磁性 - 位置，近程，速度（模塊） Honeywell Sensing and Control 桶狀，塑料外殼，法蘭安裝 IC SENSR 83.25MM HALL GEAR TOOTH
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 680UH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6A SHEET 320X320X0.3MM W/ADH
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
- 磁性 - 位置，近程，速度（模塊） Honeywell Sensing and Control 桶狀，塑料外殼，法蘭安裝 IC SENSOR 40MM HALL GEAR TOOTH
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 680UH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
- 熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X3MM
- 撥動開關 CW Industries 徑向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
0755-22655674 
0755-23919407 
