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FDS4465詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8237pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS4465詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8237pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS4465詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8237pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDS4465_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 13.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8237pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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FDS4435BZ
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
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