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FDMA1023PZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫歐 @ 3.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：655pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-MicroFET（2x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

FDMA1023PZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫歐 @ 3.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：655pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-MicroFET（2x2）; 包裝：帶卷 (TR)

FDMA1023PZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫歐 @ 3.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：655pF @ 10V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-MicroFET（2x2）; 包裝：Digi-Reel®

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薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 100PF 50VDC 0805
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FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET

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