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FDD6N50TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6N50TM_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6N50TM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FDD6N50TM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6N50TM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD6N25TF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
CT05-1535-J1
磁簧 Coto Technology 0402（1005 公制） REED SWITCH MOLDED .35A 15-35AT
FDD6N25TF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
GTC04DABN-M30
矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions CONN HEADER 8POS .100 DL SMD
F471K29Y5RN6TK7R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 470PF 1KV 10% RADIAL
IDT5V9910A-5SOGI
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC BUFFER ZD PLL SGL I/O 24-SOIC
CT0603M4G
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 0603（1608 公制） VARISTOR 4.0VRMS 0603 SMD
FCN2420E104K
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2420（6050 公制） CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420
FDD6N50TM_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
F471K33Y5RP6UK5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 470PF 2KV 10% RADIAL
IDT5V991A-5JGI8
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC CLK DVR PLL 3.3V PROGR 32PLCC
CT0805S14BAUTOG
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 0805（2012 公制） VARISTOR 14VRMS 0805 SMD AUTO
GTC06-14S-2P(025)(A24)
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 4POS STRAIGHT W/PINS
FCN2420E104K-B
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2420（6050 公制） CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420
FDD8444_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 145A DPAK

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GTC04DABN-M30

F471K29Y5RN6TK7R

IDT5V9910A-5SOGI

CT0603M4G

FCN2420E104K

FDD6N50TM_F085

F471K33Y5RP6UK5R

IDT5V991A-5JGI8

CT0805S14BAUTOG

GTC06-14S-2P(025)(A24)

FCN2420E104K-B

FDD8444_F085