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FDB2614詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 31A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：99nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7230pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FDB2614詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 31A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：99nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7230pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FDB2614詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 31A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：99nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7230pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

MCR100JZHF75R0
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 75.0 OHM 1W 1% 2512 SMD
MAX312ESE+T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
MAX339CSE+T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16SOIC
FDB2572
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
MCP40D18T-503E/LT
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC DGTL POT 50K 128TAPS SC70-6
MAX2831ETM+T
RF 收發(fā)器 Maxim Integrated 48-WFQFN 裸露焊盤 IC TXRX 2.4GHZ-2.5GHZ 48TQFN
FDD8874
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
MAX339EEE+
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16QSOP
MCR18EZHF9531
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 9.53K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MAX2839EVKIT+
RF 評(píng)估和開發(fā)套件，板 Maxim Integrated 73-WLP KIT EVAL FOR MAX2839
FDD8878
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
MAX312LESE+T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
MCP40D19T-103E/LT
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC DGTL POT 10K 128TAPS SC70-5
FDD8896
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
MAX2850ITK+
RF 發(fā)射器 Maxim Integrated 68-TQFN 裸露焊盤 TRANSMITTER MIMO 5GHZ 4CH 68TQFN

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FDB2614 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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MCR100JZHF75R0

MAX312ESE+T

MAX339CSE+T

FDB2572

MCP40D18T-503E/LT

MAX2831ETM+T

FDD8874

MAX339EEE+

MCR18EZHF9531

MAX2839EVKIT+

FDD8878

MAX312LESE+T

MCP40D19T-103E/LT

FDD8896

MAX2850ITK+