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EMD4DXV6T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

EMD4DXV6T5G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

EMD4T2R詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

EMD4T2R詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6; 包裝：帶卷 (TR)

EMD4T2R詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6; 包裝：Digi-Reel®

CUR-3284-MB
箱 Bud Industries BOX ABS 7.61X4.61X2.36" BLACK
EEC17DRYH-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD
EMD3T2R
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS PNP/NPN 50V 50MA EMT6
EEE-FT1V561AP
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 560UF 35V 20% SMD
CW010312R0KE733
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 312 OHM 13W 10% WW AXIAL
EEE-HB0J221AP
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 220UF 6.3V 20% SMD
ELXS161VSN122MA25S
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP
CUR-3286-MB
箱 Bud Industries BOX ABS 10.15X6.15X3.13" BLACK
EEC17DRYS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD
CW010316R0JE73
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 316 OHM 13W 5% WW AXIAL
ELXS161VSN122MQ40S
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP
CURA104-G
單二極管/整流器 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE ULT FAST 1A 400V DO-214AC
EEC17DTEF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS .100 EYELET
EMD6T2R
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS PNP/NPN 50V 100MA EMT6
EEE-HB0J330R
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 6.3V 20% SMD

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