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DTC144TKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC144TKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC144TKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC144TKA-TP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L; 系列：-; 制造商：Micro Commercial Co; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3L; 包裝：帶卷 (TR)

DTC144GUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
GRM319R71H274KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.27UF 50V 10% X7R 1206
LLL215R71H682MA11L
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0508（1220 公制） CAP CER 6800PF 50V 20% X7R 0508
IMC1210BN27NJ
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 27NH 5% 1210
DSB60C60PB
二極管，整流器 - 陣列 IXYS TO-220-3 DIODE SCHOTTKY 60V 2X30A TO-220
DS1080LU+T
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC CRYSTAL MULT SS 8-USOP
LGU1C273MELA
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 27000UF 16V 20% SNAP
IDT72V215L10TF8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 512X18 10NS 64STQFP
GRM319R71H334KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.33UF 50V 10% X7R 1206
IMC1210BN2R7J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1210
DSBT2-M-2D-DC24V
信號(hào)，高達(dá) 2 A Panasonic Electric Works PCB 安裝 RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24V
DS1086HU-C02+
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC ECONOSCILLATOR SS 8-USOP
IDT72V223L6PF8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 512X18 6NS 80QFP
LGU1C333MELC
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 33000UF 16V 20% SNAP
IMC1210BN330J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 33UH 5% 1210

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DTC144GUAT106

GRM319R71H274KA01D

LLL215R71H682MA11L

IMC1210BN27NJ

DSB60C60PB

DS1080LU+T

LGU1C273MELA

IDT72V215L10TF8

GRM319R71H334KA01D

IMC1210BN2R7J

DSBT2-M-2D-DC24V

DS1086HU-C02+

IDT72V223L6PF8

LGU1C333MELC

IMC1210BN330J