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DTC144EEBTL詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：EMT3F; 包裝：帶卷 (TR)

DTC144EEBTL詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：EMT3F; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC144EEBTL詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-89，SOT-490; 供應商設備封裝：EMT3F; 包裝：Digi-Reel®

DTC144EET1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BIAS NPN 50V SOT416; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC144EET1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BIAS NPN 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：Digi-Reel®

DTC144EET1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BIAS NPN 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應商設備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：剪切帶 (CT)

D4C-9
配件 Electroswitch WAFER SW 6P-2POS NON-SHORT
CMF5557K600DHR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 57.6K OHM 1/2W .5% AXIAL
D-SCE-1K-38-50-9
標簽，標記 TE Connectivity * HEAT SHRINK SLEEVE MARKER
DTC143ZMT2L
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3
DF14A-8P-1.25H(26)
矩形- 接頭，公引腳 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER 8POS 1.25MM R/A SMD
ECG.2B.312.CYM
連接器，互連器件 LEMO RECPT W.NUT CDG 12CTS
E32-T223R 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 SENSOR FIBER THROUGH BEAM
DRT2-OD16TA-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 3-TIERDRT2 16PT.PNP OUTTERMBLK
D4C-9
配件 Electroswitch WAFER SW 6P-2POS NON-SHORT
D-SCE-1K-4.8-50-9
標簽，標記 TE Connectivity * HEAT SHRINK SLEEVE MARKER
ECG.2B.318.CLV
連接器，互連器件 LEMO RECPT W.NUT CDG18CTS
DF14A-8P-1.25H(50)
矩形- 接頭，公引腳 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER 8POS 1.25MM R/A SMD
DRT2-OD16TA-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 3-TIERDRT2 16PT.PNP OUTTERMBLK
E32-T22B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 SENSOR FIBER THROUGH BEAM
D4C-9
配件 Electroswitch WAFER SW 6P-2POS NON-SHORT

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