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DTC114YM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 10/47K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC114YM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 10/47K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114YMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114YMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC114YMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 50V 70MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

IDT72T3685L4-4BB
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 16384X36 4-4NS 208-BGA
DS99R103TSQ/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤 IC SERIALIZER LVDS 24BIT 48LLP
GRM319E41H224MA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 50V 20% Z5U 1206
DS1010-300
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DELAY LINE 10TAP 300NS 14-DIP
DTC114YETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS NPN 50V 70MA SOT-416
LLA315R71C104MA14L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 1206
IDT72T3695L4-4BB
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 32768X36 4-4NS 208BGA
DS99R105SQ/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤 IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48LLP
IM07JR
信號，高達(dá) 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 24V
DS1010S-125/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
LLA315R71C224MA14L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 16V 20% X7R 1206
IDT72T3695L5BBI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO 32768X36 5NS 208BGA
DS99R105VS/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-TQFP IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP
IM23GR
信號，高達(dá) 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 5V
DTC115EET1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3