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DTB143TKT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL PNP 40V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTB143TKT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL PNP 40V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTB143TKT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL PNP 40V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：Digi-Reel®

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