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DTA144WET1詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTA144WET1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP BIAS RES 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTA144WETL詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 30MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTA144WETL詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 30MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTA144WETL詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 30MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DS1100LZ-150
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 150NS 8-SOIC
CP1W-20EDT
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION 12 IN 8 OUT NPN
DTA144TMT2L
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANSISTOR PNP 50V 100MA VMT3 TR
DS1100LZ-150+T
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 150NS 8-SOIC
DTA144VKAT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 50V 100MA SOT-346
CP1W-20EDT1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BOARD I/O EXPANSION 24VDC
DS1100LZ-20+T
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 20NS 8-SOIC
CP1W-20EDT1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BOARD I/O EXPANSION 24VDC
DTA144VKAT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 50V 100MA SOT-346
CP1W-32ER
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DS1100LZ-250+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 250NS 8-SOIC
DTA144WUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 30MA SOT-323
CP1W-32ET
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
CP1W-32ET
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DTA144WUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 30MA SOT-323

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DS1100LZ-150+T

DTA144VKAT146

CP1W-20EDT1

DS1100LZ-20+T

CP1W-20EDT1

DTA144VKAT146

CP1W-32ER

DS1100LZ-250+

DTA144WUAT106

CP1W-32ET

CP1W-32ET

DTA144WUAT106