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DMN3135LVT-7 全國供應商、價格、PDF資料

DMN3135LVT-7詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 115mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應商設備封裝：TSOT26; 包裝：帶卷 (TR)

DMN3135LVT-7詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 115mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應商設備封裝：TSOT26; 包裝：剪切帶 (CT)

DMN3135LVT-7詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 115mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應商設備封裝：TSOT26; 包裝：Digi-Reel®

查看更多DMN3135LVT-7的供應商

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復制成功！

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