DDTD122LC-7 全國供應商、價格、PDF資料
DDTD122LC-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):220
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 50mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
DDTD122LC-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):220
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 50mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
DDTD122LC-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):220
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 50mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
DDTD122LC-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):220
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 50mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
DDTD122LC-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):220
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 50mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:200MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 200MW R1/R2 SC59-3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 徑向,圓盤 CAP CER 2PF 6.3KV RADIAL
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PREBIASED NPN SOT23-3
- 矩形 - 外殼 Hirose Electric Co Ltd 144-LQFP CONN PLUG HOUSING 9POS 3.96MM CR
- 通用嵌入式開發板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) Freescale Semiconductor BOARD DEMO FOR MC9S08SH FAM
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 560UF 450V
- D-Sub,D 形 - 外殼 ITT Cannon, LLC 1812(4532 公制),8 PC 板 CONN DSUB PLUG 9POS HSG
- D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 50POS SLDER CUP
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- 矩形 - 外殼 Hirose Electric Co Ltd 144-LQFP CONN PLUG HOUSING 4POS 3.96MM CR
- 通用嵌入式開發板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) Freescale Semiconductor BOARD DEMO FOR MC9S12HY64
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 180UF 400V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 徑向,圓盤 CAP CER 100PF 1KV 10% RADIAL
- D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 50POS PCB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 徑向,圓盤 CAP CER 4PF 6.3KV RADIAL