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DDTA114TUA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 100µA，1mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA114TUA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 100µA，1mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA114TUA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 100µA，1mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA114TUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 100µA，1mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：Digi-Reel®

DDTA114TUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 100µA，1mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA114TUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 100µA，1mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

CRCW25122M20FKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20M OHM 1W 1% 2512 SMD
CRCW201068R1FKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 68.1 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
DCT20EFD-U32S003
專用 TDK Corporation - TRANSFORMER 10UH 10.0A PHOTO
DDTA114TCA-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DB121073-156
D-Sub，D 形 - 后殼，防護(hù)罩 ITT Cannon 0805（2012 公制） DSUB METLZ/PLA STR NON-S GRAY
CRCW25122M26FKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.26M OHM 1W 1% 2512 SMD
E32-D81R
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向，Can - 螺絲端子 SENS FIBER HEAT RES 200DEG C
CW0104K300KE12
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 4.3K OHM 13W 10% WW AXIAL
CRCW2010698KFKEF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 698K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
DB12C67X
配件 RF Solutions 0805（2012 公制） BOARD DAUGHTER ICEPIC
E32-D81R-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向，Can - 螺絲端子 SENS FIBER HEAT RES 200DEG C
CRCW25122M40JNEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.4M OHM 1W 5% 2512 SMD
CRCW2010698KFKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 698K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
DCUE37P
D-Sub ITT Cannon - DSUB 37 M
CW0104K600JE733
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 4.6K OHM 13W 5% WW AXIAL

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