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DDTA113ZUA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA113ZUA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA113ZUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA113ZUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：Digi-Reel®

DDTA113ZUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA113ZUA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA113ZCA-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DAMZ-15S-N-A197
D-Sub ITT Cannon, LLC DSUB 15 F PCB B/L G T
BQ24725ARGRT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤 IC CHRG MGMT LI+ 1-4CELL 20VQFN
DTS26W17-26PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/PINS
DCMN8C8PNK87
D-Sub ITT Cannon DSUB 8C8 M B/L 75OHM G T
D38999/20FF32BN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 32POS SKT
DVA17XL681
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Microchip Technology DEVICE ADAPTER FOR PIC17C752
BQ24725RGRT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤 IC CHRG MGMT LI+ 2-4CELL 20VQFN
DAMZ-3C3S-N-A197
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 3C3 PCB
DTS26W17-26SA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/SKT
DCMN-8H8P-N-K87
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 8H8 PCB
DVA17XL841
適配器 Microchip Technology DEVICE ADAPTER FOR PIC17C762
D38999/20FF32HB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 32POS FLANGE W/PINS
BQ24730EVM
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Texas Instruments MODULE EVAL FOR BQ24730
DAMZ7W2SNA197
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 7W2 T/H GOLD