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DCX56-16-13 全國供應商、價格、PDF資料

DCX56-16-13詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR BIPO NPN 80V SOT89-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DCX56-16-13詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR BIPO NPN 80V SOT89-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：Digi-Reel®

DCX56-16-13詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR BIPO NPN 80V SOT89-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

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復制成功！

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