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CSD87330Q3D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) N 通道（半橋）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-LDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

CSD87330Q3D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) N 通道（半橋）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-LDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

CSD87330Q3D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) N 通道（半橋）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-LDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON-EP（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

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TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 4032（1080 公制） VARISTOR STD 75VRMS 4032 SMD
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FET - 陣列 Diodes Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8
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固定式 TE Connectivity 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 680UH 10% SMD 1047
CSR1206-0R01F1
芯片電阻 - 表面安裝 Riedon 1206（3216 公制） RES 0.01 OHM 1W 1% 1206
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