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BUZ32 H詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：75W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

BUZ32 H3045A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：75W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：管件

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其它 International Rectifier MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
BUZ32 H
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
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其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 235A TO-262
AYM36DRST
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
APSEPB7E2
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16MM 2POS IP67 W/PIN
AML53-E10B
配件 Honeywell Sensing and Control RECT 1/2 COVER FOR PADDLE SWES
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配件 Phoenix Contact MULTI-LINGUAL SOFTWARE
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其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK