BUK7611-55A 全國供應商、價格、PDF資料
BUK7611-55A,118詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3093pF @ 25V
- 功率_最大:166W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
BUK7611-55A,118詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特點:
- 漏極至源極電壓333Vdss444:
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id時的Vgs333th444(最大):
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安裝類型:
- 封裝/外殼:
- 供應商設備封裝:
- 包裝:
BUK7611-55A,118詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特點:
- 漏極至源極電壓333Vdss444:
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id時的Vgs333th444(最大):
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安裝類型:
- 封裝/外殼:
- 供應商設備封裝:
- 包裝:
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 50V 5% X8L 1206
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 470PF 250V 10% RADIAL
- 單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 8.2V 350MW SOT-23
- 過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DEV KIT FOR C8051F310/F311
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 10000PF 250VDC RADIAL
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.036UF 1.4KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 10V 5% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 470PF 250V 10% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 10000PF 250VDC RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 32-LQFP IC 8051 MCU 16K FLASH 32LQFP
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.11UF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 470PF 250V 10% RADIAL
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT-23