

BST82,215詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
BST82,215詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
BST82,215詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BST82,215詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
- 功率_最大:830mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
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