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BST52,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BST52,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

BST52,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：Digi-Reel®

BST52,135詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

BST52TA詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：10µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BST52TA詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：10µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應商設備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

C2012C0G2A152J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 0805
BST-5/250-D48-C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 8-DIP 模塊 CONV DC/DC +/-5V +/-250MA DIP
BH2/3-TER
電池座，夾，觸點 MPD (Memory Protection Devices) 8-DIP 模塊 BATTERY TERMINAL FOR BH2/3A
C1005C0G1H2R7C
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.7PF 50V NP0 0402
BTNK0160
配件 - 帽蓋 C&K Components 0402（1005 公制） CAP SWITCH SQR BLUE SNAP-ON KSA
C0805C689C2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6.8PF 200V NP0 0805
C3216X7R1C105K/1.15
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 10% X7R 1206
C2012C0G2A152J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 0805
BP48V18
配件 Tripp Lite 0805（2012 公制） BATTERY EXTERNAL PACK 48V BLUE
BTNK0260
配件 - 帽蓋 C&K Components TO-243AA CAP SWITCH RND BLUE SNAP-ON KSA
C1005C0G1H330F
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 33PF 50V 1% NP0 0402
C3216X7R1C105M
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 20% X7R 1206
C0805C689D5GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6.8PF 50V NP0 0805
BP48V24-2U
配件 Tripp Lite 0805（2012 公制） BATT PACK EXT 48V 2U W/CABLE
BST60,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 45V 500MA SOT89

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