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BSS223PW L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT323-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS223PW L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT323-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS223PW L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：390mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1.5µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.62nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 15V; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT323-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DZ16F20
保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE F/A DIAZED DI 20A 500V EURO
BSS214N H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 8POS FLANGE W/SKT
DC22.9121.111
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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 270 OHM 1/2W 1% AXIAL
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RF 定向耦合器 Anaren 0805（2012 公制） COUPLER 10DB 2300-3700MHZ 0805
DBM25SZNM
D-Sub ITT Cannon DSUB 25 F
CMF5539R200DHR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 39.2 OHM 1/2W .5% AXIAL
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二極管/齊納陣列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER DUAL 10V SOT23-3

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