BSS138BKW,115 全國供應商、價格、PDF資料
BSS138BKW,115詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V SC-70
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：320mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 320mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V
- 功率_最大：260mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：帶卷 (TR)
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC MUX/DEMUX 2X1 6XSON
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1.5UF 10V 20% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.082UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 200V 10% X7R 0603
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-UFBGA，DSBGA IC LI-ION CHARGE MGMT 20DSBGA
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） FERRITE BEAD 430 OHM 0402
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0805
- 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置 Texas Instruments SOT-23-6 IC SGL 3IN OR/AND GATE SOT23-6
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0603
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 0603（1608 公制） EVALUATION MODULE FOR BQ24151
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） FERRITE BEAD 5 OHM 0402
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 100V NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 10V 20% X7R 0805
