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BSS123LT1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

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BSS123LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BSS123LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

8-1676481-9
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 39.0K OHM 1/16W 0.1% 0603
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陶瓷 TDK Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 120PF 3KV 10% NP0 1812
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FET - 單 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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7C-33.3330MBB-T
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陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 200V X7R 1206
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其它 Panavise 1206（3216 公制） CAMERA WINDOW MNT W 1/4-20 STUD
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矩形 CW Industries 1206（3216 公制） DIP CABLE - CDR16S/AE16G/CDR16S
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DC DC Converters Texas Instruments 3-SIP 模塊 REGULATOR 6.50V VERTICA
8-1676914-3
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 66.5K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
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振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 33.3330 MHZ 2.5V SMD

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