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BSR202N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 3.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1147pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

BSR202N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 3.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1147pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

BSR202N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 3.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1147pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SC-59; 包裝：Digi-Reel®

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