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        IC供應PDF資料非IC供應

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        BSP52T3G 全國供應商、價格、PDF資料

        型號:廠商:批號:封裝:
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        BSP52T3G詳細規格

        類別:晶體管(BJT) - 單路
        描述:TRANS DARL NPN 80V 1A SOT-223
        系列:-
        制造商:ON Semiconductor
        晶體管類型:NPN - 達林頓
        電流_集電極333Ic444(最大):1A
        電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
        IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
        電流_集電極截止(最大):10µA
        在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
        功率_最大:800mW
        頻率_轉換:-
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
        供應商設備封裝:SOT-223
        包裝:剪切帶 (CT)

        BSP52T3G詳細規格

        類別:晶體管(BJT) - 單路
        描述:TRANS DARL NPN 80V 1A SOT-223
        系列:-
        制造商:ON Semiconductor
        晶體管類型:NPN - 達林頓
        電流_集電極333Ic444(最大):1A
        電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
        IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
        電流_集電極截止(最大):10µA
        在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
        功率_最大:800mW
        頻率_轉換:-
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
        供應商設備封裝:SOT-223
        包裝:Digi-Reel®

        BSP52T3G詳細規格

        類別:晶體管(BJT) - 單路
        描述:TRANS DARL NPN 80V 1A SOT-223
        系列:-
        制造商:ON Semiconductor
        晶體管類型:NPN - 達林頓
        電流_集電極333Ic444(最大):1A
        電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
        IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
        電流_集電極截止(最大):10µA
        在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
        功率_最大:800mW
        頻率_轉換:-
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
        供應商設備封裝:SOT-223
        包裝:帶卷 (TR)

        BSP52T3G供應商

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