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BSP126,135 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSP126,135詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：375mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 300mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP126,135詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：375mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 300mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP126,135詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：375mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 300mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

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DIP Grayhill Inc TO-200AB，A-PUK SWITCH DIP EXTENDED UNSEAL 5POS
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陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 100PF 630V 5% NP0 1206
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FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.18UF 25V 10% X7R 1206
C431PM1
SCR - 單個(gè) Powerex Inc TO-200AB，A-PUK THYRISTOR DSC 1600V 750A TO200AB
C1206C101JCGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 100PF 500V 5% NP0 1206
7B-16.384MBBK-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD CRYSTAL 16.384 MHZ 20PF SMD
C1005X8R1H332K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X8R 0402
805F150E
底座安裝電阻器 Ohmite 軸向，盒 RES ALUM HOUSED WW 150 OHM 5W
C1206C184M5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.18UF 50V 20% X7R 1206

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