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BSC0909NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：34V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 15V; 功率_最大：27W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：帶卷 (TR)

BSC0909NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：34V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 15V; 功率_最大：27W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC0909NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：34V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 15V; 功率_最大：27W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 35POS INLINE W/PINS
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三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB TRIAC 800V 12A D2PAK
CA3106F20-15SBF80A232
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 7POS INLINE W/SKTS
C0805C360J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 36PF 200V 5% NP0 0805
CA3100E22-14SBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SKTS

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