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BSC028N06NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 50µ A; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：*; 封裝/外殼：*; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：*; 包裝：*

BSC028N06NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 50µ A; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：散裝

BSC028N06NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 50µ A; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：*; 封裝/外殼：*; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：*; 包裝：*

CA3106R24-5SBF80
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FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
C0805C333K1RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.033UF 100V X7R 0805
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三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB TRIAC 1000V 8A D2PAK
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陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.033UF 100V X7R 0805
CA3100E20-7SBF80A176
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SKTS
BTA208S-600D,118
三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRIAC 600V 8A DPAK
CA3106R24-7PB
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS INLINE W/PINS

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