BSC022N03SG 全國供應商、價格、PDF資料
BSC022N03SG詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 50A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 110µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:8290pF @ 15V
- 功率_最大:104W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-PowerTDFN
- 供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSC022N03SG詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 50A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 110µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:8290pF @ 15V
- 功率_最大:104W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-PowerTDFN
- 供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- 晶體 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 20.0 MHZ 20PF SMD
- FET - 單 Infineon Technologies * MOSF N CH 60V 30A TDSON-8
- 晶體 TXC CORPORATION 2-SMD CRYSTAL 9.84375 MHZ 8 PF SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Atmel 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MCU AVR 8KB FLASH 10MHZ 14SOIC
- 氣體放電管 (GDT) EPCOS Inc T80-A250XFP
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC SBS-COMPL GAS-GAUGE 20-TSSOP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 500V 10% X7R 1210
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 4.7UF 16V 10% X7R 1210
- DC DC Converters GE 5-SIP 模塊 CONVERT DC/DC 0.75 5.5V @ 3A SIP
- 氣體放電管 (GDT) EPCOS Inc T80-A250XF
- 嵌入式 - 微控制器, Atmel 8-SOIC(0.209",5.30mm 寬) MCU AVR 8K FLASH 15MHZ 8-SOIC
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC GAS GAUGE 20 TSSOP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 100V 20% X7R 1210
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.056UF 1KV 10% X7R 1210