BLF6G22LS-130 全國供應商、價格、PDF資料
BLF6G22LS-130,112詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：TRANSISTOR BASE STATION SOT502B
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：LDMOS
- 頻率：2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：17dB
- 電壓_測試：28V
- 額定電流：34A
- 噪音數據：-
- 電流_測試：1.1A
- 功率_輸出：30W
- 電壓_額定：65V
- 封裝/外殼：SOT-502B
- 供應商設備封裝：LDMOST
- 包裝：管件
BLF6G22LS-130,112詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：TRANSISTOR BASE STATION SOT502B
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：LDMOS
- 頻率：2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：17dB
- 電壓_測試：28V
- 額定電流：34A
- 噪音數據：-
- 電流_測試：1.1A
- 功率_輸出：30W
- 電壓_額定：65V
- 封裝/外殼：SOT-502B
- 供應商設備封裝：LDMOST
- 包裝：管件
BLF6G22LS-130,118詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：IC BASESTATION DRIVER SOT502B
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：LDMOS
- 頻率：2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：17dB
- 電壓_測試：28V
- 額定電流：34A
- 噪音數據：-
- 電流_測試：1.1A
- 功率_輸出：30W
- 電壓_額定：65V
- 封裝/外殼：SOT-502B
- 供應商設備封裝：LDMOST
- 包裝：帶卷 (TR)
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 2.7UF 10% 630VDC
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 1000PF 6.3V X5R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR BASE STATION SOT502B
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS PNP 250V 50MA SOT223
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 25V 20% Y5V 0603
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V 5% NP0 0402
- 適配器 Blackhawk 0402（1005 公制） ADAPTER PIN CONVERTER 14-20 PIN
- I/O 機架 Grayhill Inc 0402（1005 公制） I/O MOUNTING BOARD G5 4POS
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 2.7UF 10% 630VDC
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.5PF 50V NP0 0603
- 配件 JKL Components Corp. 0603（1608 公制） END CAP RUBBER 8MM CCFL
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V 5% NP0 0402
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 2.0UF 10% 875VDC
- I/O 機架 Grayhill Inc 徑向 I/O MOUNTING BOARD G5 24POS
- 電池座，夾，觸點 MPD (Memory Protection Devices) 徑向 HOLDER 12 D CELL W/6 WIRE LEADS
0755-82865294 
18026926850/0 
