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BLF6G10LS-200,112詳細規格: 類別：RF FET; 描述：IC BASESTATION FINAL SOT502B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：LDMOS; 頻率：871.5MHz; 增益：20.2dB; 電壓_測試：28V; 額定電流：49A; 噪音數據：-; 電流_測試：1.4A; 功率_輸出：40W; 電壓_額定：65V; 封裝/外殼：SOT-502B; 供應商設備封裝：LDMOST; 包裝：托盤

74HCT688PW,118
邏輯 - 比較器 NXP Semiconductors 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC COMPARATOR MAGNITUDE 20TSSOP
BLF6G10LS-160RN:11
RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
BLM41PG181SN1L
鐵氧體磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1806（4516 公制） FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806
C0603C510J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 51PF 100V 5% NP0 0603
BQ29411DCTR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 寬） IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
C2422A.41.10
多芯導線 General Cable/Carol Brand 7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 寬） CABLE 9COND 18AWG UNSHLD UL2464
74LVC3G14GN,115
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC INVERTER TRPL SCHMITT 8XSON
C0805X473K1RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 100V X7R 0805
74HCT7030D,112
邏輯 - FIFO NXP Semiconductors 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 9X64 FIFO REGISTER 3ST 28SOIC
C0603C510J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 51PF 50V 5% NP0 0603
BQ29411PWRG4
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC BATT/PROTECT 2-4CELL 8-TSSOP
C2423A.41.10
多芯導線 General Cable/Carol Brand 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） CABLE 15COND 18AWG UNSHLD UL2464
74LVC3G14GT,115
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC TRPL INV SCHMITT TRIG 8-XSON
74HCT7403D-Q100,51
邏輯 - FIFO NXP Semiconductors 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC FIFO REGISTER 4X64 3ST 16SOIC
BLM41PG181SN1L
鐵氧體磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1806（4516 公制） FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806

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BLF6G10LS-200,112 全國供應商、價格、PDF資料

BLF6G10LS-200,112詳細規格

BLF6G10LS-200,112供應商

74HCT688PW,118

BLF6G10LS-160RN:11

BLM41PG181SN1L

C0603C510J1GACTU

BQ29411DCTR

C2422A.41.10

74LVC3G14GN,115

C0805X473K1RACTU

74HCT7030D,112

C0603C510J5GACTU

BQ29411PWRG4

C2423A.41.10

74LVC3G14GT,115

74HCT7403D-Q100,51

BLM41PG181SN1L