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BFU660F,115 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

BFU660F,115詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：RF 晶體管 (BJT)
描述：TRANSISTOR NPN SOT343F-4
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：5.5V
頻率_轉(zhuǎn)換：21GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益：12dB ~ 21dB
功率_最大：225mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：90 @ 10mA，2V
電流_集電極333Ic444（最大）：60mA
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-343F
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DFP
包裝：剪切帶 (CT)

BFU660F,115詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：RF 晶體管 (BJT)
描述：TRANSISTOR NPN SOT343F
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：5.5V
頻率_轉(zhuǎn)換：21GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益：12dB ~ 21dB
功率_最大：225mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：90 @ 10mA，2V
電流_集電極333Ic444（最大）：60mA
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-343F
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DFP
包裝：帶卷 (TR)

BFU660F,115詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：RF 晶體管 (BJT)
描述：TRANSISTOR NPN SOT343F-4
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類(lèi)型：NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：5.5V
頻率_轉(zhuǎn)換：21GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益：12dB ~ 21dB
功率_最大：225mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：90 @ 10mA，2V
電流_集電極333Ic444（最大）：60mA
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-343F
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DFP
包裝：Digi-Reel®

BFU660F,115供應(yīng)商

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