BFG35,115詳細規格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- 頻率_轉換:4GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
- 增益:-
- 功率_最大:1W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 100mA,10V
- 電流_集電極333Ic444(最大):150mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
BFG35,115詳細規格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- 頻率_轉換:4GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
- 增益:-
- 功率_最大:1W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 100mA,10V
- 電流_集電極333Ic444(最大):150mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:剪切帶 (CT)
BFG35,115詳細規格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- 頻率_轉換:4GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
- 增益:-
- 功率_最大:1W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 100mA,10V
- 電流_集電極333Ic444(最大):150mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:Digi-Reel®
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 100K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
- FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Rohm Semiconductor 18-SOIC (0.213", 5.40mm 寬) IC DRIVER 12BIT S-IN P-OUT SOP18
- RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A,SOT-343 TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R
- 線性 - 視頻處理 NXP Semiconductors SOT-115D IC PUSH-PULL AMP 860MHZ SOT115D
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 2PF 400V RADIAL
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 102K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
- FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
- 線性 - 音頻處理 Infineon Technologies 11-WFBGA,WLCSP IC FILTER/ESD PROT RF S-WLP-11
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 2PF 400V RADIAL
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 7.87K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-343 反向插針 TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343