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BCX17詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：620mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BCX17詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：620mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BCX17詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：620mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

BCX17,215詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：620mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：80MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

BCX17,215詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：620mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：80MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BCX17,215詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：620mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：80MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BGU6101,147
RF 放大器 NXP Semiconductors * IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON
C0402C682J5RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 6800PF 50V 5% X7R 0402
BCX 70H E6433
晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23
BFC241912202
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 2200PF 400VDC RADIAL
70F124AI-RC
固定式 Bourns Inc. 軸向 CHOKE RF VARNISHED 120UH 5%
B32776G4606K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 60UF 10% 450V MKP
C0603C151G5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 150PF 50V 2% NP0 0603
BGU6104,147
RF 放大器 NXP Semiconductors * IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON
C0402C682J8RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 6800PF 10V 5% X7R 0402
B32231D3475K000
薄膜 EPCOS Inc 軸向 CAP FILM 4.7UF 250VDC AXIAL
70F125AI
固定式 Bourns Inc. 軸向 CHOKE RF VARNISHED 12UH 10%
B32776T0395K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 3.9UF 10% 1100VDC
C0603C151J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 150PF 100V 5% NP0 0603
C0402C682K4RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 6800PF 16V 10% X7R 0402
BGU7003,132
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC WIDEBAND AMP LN MMIC 6-XSON

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