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BCW65ALT1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BCW65ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BCW65ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BCW65CLT1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BCW65CLT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BCW65CLT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BZW04-188B-E3/54
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，軸向 TVS 400W 188V 5% BIDIR DO-204AL
BWR-5/900-D12A-C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 5-DIP 模塊 CONV DC/DC +/-5V +/-900MA DIP
BCW65ALT1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23
BK/ETF-3.15
保險絲 Cooper Bussmann 徑向，罐狀，垂直 FUSE 3.15A 250V T-LAG MICRO IEC
BYG10G-E3/TR
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE 1.5A 400V STD AVALANCH SMA
BP5890
配件 TE Connectivity DO-214AC，SMA BOOT PB WATERPROOF 15/32-32 BLK
C315C101J1G5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 100UF 100V 5% RADIAL
C322C151J1G5TA7301
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL
BZW04-19B-E3/73
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，軸向 TVS 400W 19V 5% BIDIR DO-204AL
BYG10G-E3/TR
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE 1.5A 400V STD AVALANCH SMA
BK/ETF-315MA
保險絲 Cooper Bussmann 徑向，罐狀，垂直 FUSE .315A 250V T-LAG MICRO IEC
C315C101J2G5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 100PF 200V 5% RADIAL
BP589004
配件 TE Connectivity 徑向 BOOT PB WATERPROOF 15/32-32 BLK
C322C151J2G5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 150PF 200V 5% RADIAL
BZW04-213B-E3/54
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，軸向 TVS 400W 213V 5% BIDIR DO-204AL

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