

BCP52-10,135詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1.3W
- 頻率_轉換:145MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:Digi-Reel®
BCP52-10,135詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1.3W
- 頻率_轉換:145MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
BCP52-10,135詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1.3W
- 頻率_轉換:145MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 電容器 EPCOS Inc 100UF 16V 6.3X11 SINGLE END
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 22UF 160V
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR PNP 60V 1.2A SOT-223
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL
- 存儲器 - 控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SRAM NONVOL CNTRLR 8-SOIC
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) FERRITE BEAD 1000OHM 0402
- 陶瓷 TDK Corporation CAPACITORS CERAMIC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0603
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 470UF 160V
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL
- 存儲器 - 控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) FERRITE BEAD 68 OHM 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation CAPACITORS CERAMIC
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 1.5UF 200V