BC817-40W,115詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：帶卷 (TR)
BC817-40W,115詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：剪切帶 (CT)
BC817-40W,115詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：Digi-Reel®
BC817-40W,115詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：帶卷 (TR)
BC817-40W,135詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：Digi-Reel®
BC817-40W,135詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70
- 包裝：剪切帶 (CT)
- RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.33UF 16V 10% X5R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 50V 5% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 2PF 50V NP0 0402
- RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-143R TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R
- 線性 - 比較器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC COMPARATOR DUAL 0.6MA SOP8
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Diodes Inc 6-XFDFN IC GATE NAND SGL 2INP 6DFN
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
- 陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 8200PF 50V 5% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 2PF 10V NP0 0402
- 線性 - 比較器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC COMPARATOR DUAL 0.6MA SOP8
- RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R
- 邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC 2-IN NAND GATE LP 6-XSON
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
0755-82575207 
0755-23914006 
