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BC517詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC517詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC517,112詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：220MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：管件

BC517,116詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：220MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC517_D26Z詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC517_D27Z詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BD5413EFV-E2
線性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 24-VSSOP（0.220"，5.60mm 寬）裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 5W STER 24TSSOP
C0603C181J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
BC516_L34Z
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92
C1608X6S1V105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 10% X6S 0603
BAS70-06WFILM
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics SC-70，SOT-323 IC DIODE SCHOTTKY SOT-323-3
BFX34
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 TRANSISTOR NPN 120V 5A TO-39
74AUP1G32SE-7
邏輯 - 柵極和逆變器 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC GATE OR SGL 2INP SOT353
B82422T1104K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 100UH 60MA 1210 10%
BD5423MUV-E2
線性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 48-VFQFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 17W STER 48VQFN
C1608X6S1V105M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 20% X6S 0603
BAS70-07P6FILM
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics SOT-563，SOT-666 DIODE SCHOTTKY SS PAR SOT-666
B82422T1104K8
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 100UH 10%
74AUP1G332GM,115
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC 3-IN OR GATE LP 6-XSON
BD5426EFS-E2
線性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 44-VSOP（0.295"，7.50mm 寬） IC AMP AUDIO PWR 10W D 44TSSOP
BG 3130 E6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363