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B82422H1223K100詳細規格: 類別：固定式; 描述：INDUCTOR 22UH 220MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 類型：鐵氧體芯體; 電感：22µH; 電流：; 額定電流：220mA; 電流_飽和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：鐵氧體; 屏蔽：無屏蔽; DC電阻333DCR444：最大 2.4 歐姆; 不同頻率時的Q值：15 @ 2.52MHz; 頻率_自諧振：22MHz; 工作溫度：-; 封裝/外殼：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：剪切帶 (CT)

B82422H1223K100詳細規格: 類別：固定式; 描述：INDUCTOR 22UH 220MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 類型：鐵氧體芯體; 電感：22µH; 電流：; 額定電流：220mA; 電流_飽和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：鐵氧體; 屏蔽：無屏蔽; DC電阻333DCR444：最大 2.4 歐姆; 不同頻率時的Q值：15 @ 2.52MHz; 頻率_自諧振：22MHz; 工作溫度：-; 封裝/外殼：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：帶卷 (TR)

B82422H1223K100供應商

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BD46315G-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP
BG 5130R E6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
B82422H1103K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 10UH 300MA 1210 10%
BS-COVER
配件 MPD (Memory Protection Devices) 1210（3225 公制） PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM
B37940K5010C060
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0805
C320C154K5R5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.15UF 50V 10% RADIAL
BFC241918203
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL
B43504F2228M62
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
BD46322G-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 3.2V 200MS 5SSOP
BSD214SN L6327
FET - 單 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
B37940K5010C570
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0805
C320C154K5R5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.15UF 50V 10% RADIAL
BFC241941803
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 400VDC RADIAL
B43504F2228M80
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
BD46345G-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 3.4V 50MS 5SSOP