B41252A7229M 全國供應商、價格、PDF資料
B41252A7229M詳細規格
- 類別：電容器
- 描述：22000UF 35V 35X45 SNAP IN
- 系列：B41252
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：
- 額定電壓：
- 容差：
- 壽命0a0溫度：
- 工作溫度：
- 特點：
- 紋波電流：
- ESR（等效串聯電阻）：
- 阻抗：
- 安裝類型：
- 封裝/外殼：
- 尺寸/尺寸：
- 高度_座高（最大）：
- 引線間隔：
- 表面貼裝占地面積：
- 包裝：
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 8200PF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9UF 10V 10% X5R 0805
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23
- 電容器 EPCOS Inc 5600UF 50V 22X50 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤 IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.03UF 1.6KVDC RADIAL
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9UF 10V 10% X5R 0805
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤 IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 20% RADIAL
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V TO-236AB
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9UF 6.3V 10% X5R 0805
0755-83223003 
