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B37940K2331J060詳細規(guī)格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 330PF 200V 5% NP0 0805; 系列：B37940K; 制造商：EPCOS Inc; 電容：330pF; 電壓_額定：200V; 容差：±5%; 溫度系數(shù)：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻，自動式; 額定值：; 封裝/外殼：0805（2012 公制）; 尺寸/尺寸：; 高度_座高（最大）：; 厚度（最大）：; 引線間隔：; 特點：; 包裝：帶卷 (TR)

B37940K2331J060詳細規(guī)格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 330PF 200V 5% NP0 0805; 系列：B37940K; 制造商：EPCOS Inc; 電容：330pF; 電壓_額定：200V; 容差：±5%; 溫度系數(shù)：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻，自動式; 等級：AEC-Q200; 封裝/外殼：0805（2012 公制）; 大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）; 高度_安裝（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.051"（1.30mm）; 引線間距：-; 特性：-; 包裝：帶卷 (TR); 故障率：

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B82422H1102K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%
B37940K2151J060
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 150PF 200V 5% NP0 0805
BSC883N03MS G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8
BG 3430R E6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
BD46315G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP
B43504E397M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 420V
BFC241916802
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 6800PF 400VDC RADIAL
B82422H1102K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 1.0UH 650MA 1210 10%
C320C153K2R5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 0.015UF 200V 10% RADIAL
B43504F2228M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
BFC241917503
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.075UF 400VDC RADIAL
BD46315G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP
BG 5130R E6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
B82422H1103K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 10UH 300MA 1210 10%
BS-COVER
配件 MPD (Memory Protection Devices) 1210（3225 公制） PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM