B32796G8106J 全國供應商、價格、PDF資料
B32796G8106J詳細規格
- 類別：薄膜
- 描述：FILM CAP 10UF 5% 350V MKP
- 系列：B32796
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：
- 額定電壓_AC：
- 額定電壓_DC：
- 電介質材料：
- 容差：
- ESR（等效串聯電阻）：
- 工作溫度：
- 安裝類型：
- 封裝/外殼：
- 尺寸/尺寸：
- 高度_座高（最大）：
- 端子：
- 引線間隔：
- 特點：
- 應用：
- 包裝：
B32796G8106J詳細規格
- 類別：薄膜
- 描述：FILM CAP 10UF 5% 350V MKP
- 系列：B32796
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：
- 電壓_額定：
- 容差：
- 安裝類型：
- 封裝/外殼：
- 工作溫度：
- 特點：
- 包裝：
- 尺寸/尺寸：
- 高度_座高（最大）：
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 6.8UF 5% 100V
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.018UF 25V 5% X7R 0603
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.22UF 1KVDC RADIAL
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 16UF 10% 400V MKP
- 陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 1000PF 200V 10% RADIAL
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502A TRANSISTOR LDMOST
- 電池座，夾，觸點 MPD (Memory Protection Devices) SOT-502A HOLDER 3 D CELL W/6" WIRE LEADS
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V Y5V 0805
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.18UF 16V 10% X7R 0603
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 6.8UF 10% 100V
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 2P/22 7/30TC OA SH TYPE PLTC
- RF FET NXP Semiconductors SOT1135B TRANSISTOR LDMOS DRIVER SOT1135B
- 電池座，夾，觸點 MPD (Memory Protection Devices) SOT1135B HOLDER 8 D CELL W/SOLDER LUGS
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 22UF 6.3V Y5V 0805
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.68UF 1KVDC RADIAL
