B32686A104K 全國供應商、價格、PDF資料
B32686A104K詳細規格
- 類別：薄膜
- 描述：FILM CAP 0.100UF 10% 1000V
- 系列：B32686
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：0.1µF
- 電壓_額定：
- 容差：±10%
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：徑向
- 工作溫度：-55°C ~ 110°C
- 特點：交流和雙倍脈沖
- 包裝：散裝
- 尺寸/尺寸：1.654" L x 0.472" W（42.00mm x 12.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.886"（22.50mm）
B32686A104K詳細規格
- 類別：薄膜
- 描述：FILM CAP 0.100UF 10% 1000V
- 系列：B32686
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：0.1µF
- 額定電壓_AC：400V
- 額定電壓_DC：1000V（1kV）
- 電介質材料：聚丙烯，金屬化
- 容差：±10%
- ESR（等效串聯電阻）：-
- 工作溫度：-55°C ~ 110°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：徑向
- 尺寸/尺寸：1.654" L x 0.472" W（42.00mm x 12.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.886"（22.50mm）
- 端子：PC 引腳
- 引線間隔：1.476"（37.50mm）
- 特點：交流和雙倍脈沖
- 應用：-
- 包裝：散裝
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 6-HVSOF IC REG LDO 2.5V .3A 6HVS0F
- I/O 繼電器模塊 - 輸入 Grayhill Inc 6-HVSOF INPUT MODULE DC 18MA 24VDC
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 18PF 50V NP0 0603
- RF FET NXP Semiconductors SOT-1121B TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 1000PF 10V 10% X5R 01005
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 15UF 875VDC RADIAL
- RF FET NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 100PF 50V 2% NP0 0402
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor SOT-665 IC REG LDO 2.5V .15A 5HVS0F
- RF FET NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 18PF 50V 2% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 1500PF 10V 10% X5R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 250V 10% X7T 0805
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor SOT-665 IC REG LDO 2.5V .15A 5HVS0F
13910052844（微 
